濕電子化學(xué)品概述

濕電子化學(xué)品，又稱超凈高純?cè)噭┗蚬に嚮瘜W(xué)品，是指主體成分純度大于 99.99%，雜質(zhì)離子和微粒數(shù)符合嚴(yán)格要求的化學(xué)試劑。主要以上游硫酸、 鹽酸、 氫氟酸、 氨水、 氫氧化鈉、 氫氧化鉀、 丙酮、 乙醇、 異丙醇等為原料，經(jīng)過(guò)預(yù)處理、 過(guò)濾、 提純等工藝生產(chǎn)得到的高純度產(chǎn)品。濕電子化學(xué)品是微電子、光電子濕法工藝制程中使用的各種液體化工材料，是電子技術(shù)與化工材料相結(jié)合的創(chuàng)新產(chǎn)物，具有技術(shù)門(mén)檻高、資金投入大、產(chǎn)品更新?lián)Q代快等特點(diǎn)。濕電子化學(xué)品的分類1.按用途分濕電子化學(xué)品按用途主要分為通用化學(xué)品和功能性化學(xué)品兩類。其中通用化學(xué)品以高純?nèi)軇橹鳎缪趸瘹?、氫氟酸、硫酸、磷酸、鹽酸、硝酸等；功能性化學(xué)品指通過(guò)復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的配方類或復(fù)配類化學(xué)品，主要包括顯影液、剝離液、清洗液、刻蝕液等。

濕電子化學(xué)品主要品種一覽

2.按應(yīng)用領(lǐng)域分

濕電子化學(xué)品目前廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體、平板顯示、太陽(yáng)能電池等多個(gè)領(lǐng)域，其中液晶面板領(lǐng)域增速快。即按下游產(chǎn)品應(yīng)用的工藝環(huán)節(jié)分，主要有平板顯示制造工藝的應(yīng)用、半導(dǎo)體制造工藝的應(yīng)用及太陽(yáng)能電池板制造工藝的應(yīng)用。

其中平板顯示制造領(lǐng)域?qū)耠娮踊瘜W(xué)品的需求量最高，半導(dǎo)體制造工藝用濕電子化學(xué)品是技術(shù)要求最高，太陽(yáng)能電池板制造用濕電子化學(xué)品盈利能力一般。

濕電子化學(xué)品按應(yīng)用領(lǐng)域分類

濕電子化學(xué)品的應(yīng)用

濕電子化學(xué)品主要應(yīng)用在半導(dǎo)體、平板顯示、太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域等微電子器件制造領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路、LED、TFT-LCD面板制造過(guò)程、太陽(yáng)能硅片的蝕刻與清洗。

超凈高純?cè)噭┑膽?yīng)用多種多樣，例如在晶圓生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)于晶圓的清洗，在芯片制造光刻工藝中的刻蝕、顯影和洗脫過(guò)程，同時(shí)在芯片制造和 PCB 板制造中的電鍍液（例如硫酸銅）的制備原料硫酸也屬于超凈高純?cè)噭┓懂?。晶圓清洗試劑是前端加工關(guān)鍵工藝。 由于集成電路內(nèi)各元件及連線相當(dāng)微細(xì)，因此制造過(guò)程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導(dǎo)致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。因此在集成電路加工之前，必須對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，清除殘留在晶圓上之微塵、 金屬離子及有機(jī)物之雜質(zhì)。

CMP 研磨液的配置原料中涉及超凈高純?cè)噭┑膽?yīng)用，例如其中用作氧化劑的雙氧水（H2O2）和堿性溶液 KOH。在硅表面處理過(guò)程中涉及到堿洗除去 Si 余料和酸洗活化 SiO2表面過(guò)程中分別涉及堿性試劑氨水 NH3?H2O 和酸性試劑 H2SO4 等。

晶圓污染物類型及清洗工藝

光刻配套試劑直接影響晶圓光刻圖形化效果。在晶圓制造工藝的光刻過(guò)程中涉及超凈高純?cè)噭┑膽?yīng)用方向包括刻蝕、顯影和洗脫三個(gè)階段。

刻蝕過(guò)程由于針對(duì)所需刻蝕基底不同使用需用的試劑，例如在絕緣層的刻蝕中， SiO2 絕緣層選用NH4F 和 HF 的混合緩沖液進(jìn)行刻蝕，利用 NH4F 實(shí)現(xiàn)控制 PH 在 3~5 之間； Si3N4絕緣層的刻蝕中選用 NH4F 和 HF 混業(yè)緩沖液或 H3PO4 進(jìn)行刻蝕；在半導(dǎo)體層刻蝕中，單晶硅半導(dǎo)體層的刻蝕選用 HNO3 和 HF 的混合溶液共同作用破壞 Si原子之間的化合鍵實(shí)現(xiàn)刻蝕；在導(dǎo)體刻蝕中， 8 寸及以下 Al 制程中，對(duì)于 Al 及Al-Si 的刻蝕液常選用 H3PO4、 HNO3 和 HAc 的混合液晶型刻蝕，在 12 寸及以上的 Cu 制程中，由于對(duì)于 Cu 的氧化腐蝕比較困難，因此利用腐蝕氧化層的方法從而避免對(duì)于 Cu 的腐蝕。

顯影液和洗脫液的成分是針對(duì)不同的光阻材料設(shè)計(jì)而成的，此過(guò)程涉及的超凈高純?cè)噭┌?H2O2、 Na2SO3，以及 KOH 和 NaOH等堿性溶液，針對(duì)不同的顯影液和洗脫液，其配方成分均不相同。

電鍍液配套試劑導(dǎo)電液純度起到核心作用。 由于半導(dǎo)體鋁制程工藝中金屬 Al 采用真空中蒸鍍或?yàn)R鍍的方法，因此不涉及超凈高純?cè)噭┑氖褂?；在銅制程中，利用導(dǎo)電鹽 CuSO4、活化劑、緩沖劑和添加劑的混合溶液條件下，通過(guò)電化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)電鍍銅的過(guò)程。此時(shí)涉及的超凈高純?cè)噭┌ㄗ鳛槿芤旱?H2SO4。在制備 CuSO4溶液的過(guò)程中， H2SO4 也作為重要的導(dǎo)電液起到作用。

綜上所述，在超凈高純?cè)噭┲?H2SO4、 HF、 HNO3、 HCl 和醋酸等酸性溶液，NH3?H2O 和 KOH 等堿性溶液， H2O2 等氧化溶液， IPA 等有機(jī)溶液均存在加大范圍的應(yīng)用。

濕電子化學(xué)品的制備工藝

2010 年國(guó)內(nèi)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，濕電子化學(xué)品消耗總量約為 18 萬(wàn)噸/年，硫酸約占27%~33%，雙氧水約占 8%~22%，氨水約占 8%，鹽酸約占 3%~8%，其他酸（包括硝酸、醋酸、氫氟酸和磷酸等）約占 10%~20%，刻蝕劑約占 12%~20%，有機(jī)溶劑約占 10%~15%。

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，濕電子化學(xué)品需求量逐年不斷增加，預(yù)計(jì)至 2020 年國(guó)內(nèi)應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、平板行業(yè)的濕電子化學(xué)品需求量將超過(guò) 80 萬(wàn)噸，各類試劑占比變化幅度略有變化，但是濕電子化學(xué)品主要以電子級(jí)硫酸、雙氧水、氨水、鹽酸為主，進(jìn)行混配和相關(guān)添加。

1. 電子級(jí)硫酸的純化分為精餾法和氣體吸收法。

電子級(jí)超凈高純硫酸由工業(yè)級(jí)硫酸制備而來(lái)，接觸法制備工業(yè)硫酸的過(guò)程包括：硫鐵礦在沸騰爐中加熱氧化產(chǎn)生的 SO2氣體在接觸室中與催化劑充分接觸，氧化成 SO3,SO3 在吸收塔中與 98.3%濃硫酸接觸，與其中的水分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生硫酸。由于工業(yè)硫酸一般為微黃色粘稠液體，含有大量不同價(jià)態(tài)金屬離子和 SO2、SO32-、有機(jī)物等，因此在提純過(guò)程中先加入氧化劑將低價(jià)態(tài)還原性的酸根離子進(jìn)行氧化，此時(shí)還原性雜質(zhì)被氧化產(chǎn)生硫酸和二氧化碳，金屬雜質(zhì)離子以硫酸鹽的形態(tài)在餾過(guò)程中和蒸餾殘液體一起留在釜底，從而除去。精餾速度穩(wěn)定后收集成品在儲(chǔ)罐內(nèi)，用微孔膜過(guò)濾除去顆粒，在超凈工作臺(tái)內(nèi)分裝成品，經(jīng)過(guò)多次循環(huán)，實(shí)現(xiàn)純度控制。

氣體吸收法是在工業(yè)硫酸制備的第二步，將產(chǎn)生的 SO3 直接純化，后利用超純水或超純硫酸直接吸收。向發(fā)煙硫酸中添加適量過(guò)氧化氫溶液，使其中的 SO2氧化為 SO3，隨后在發(fā)煙硫酸加入降膜蒸發(fā)器中，在 90℃~130℃條件下蒸發(fā)，蒸發(fā)出 SO3 氣體經(jīng)過(guò)除霧劑，除去其中的微量硫酸、亞硝酸基硫酸，通入高純化惰性氣體，混合后進(jìn)入吸收塔利用電子級(jí)超純水或超純硫酸直接吸收，冷卻后得到超純硫酸產(chǎn)品，為了進(jìn)一步滿足顆粒要求，在進(jìn)入吸收塔前進(jìn)行 1-3 階段過(guò)濾，成品超純硫酸的在氟聚合物襯里的儲(chǔ)槽中，吸收過(guò)程產(chǎn)生的熱量由換熱器收集。

2. 電子級(jí)雙氧水精制方法有蒸餾法、離子交換法和膜分離法等。

工業(yè) H2O2 的制備方法包括電解法、仲醇氧化法和烷基蒽醌法。蒽醌法是工業(yè)中生產(chǎn)過(guò)氧化氫的最主要方法，其工藝為烷基蒽醌（例如 2-乙基蒽醌）與有機(jī)溶劑配置成工作溶液，在壓力 0.3MPa，溫度 55~65℃條件下和催化劑（例如靶）存在條件下通入 H2,實(shí)現(xiàn)氫化還原后，后續(xù)經(jīng)萃取、再生、精制和濃縮制得質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 20%~30%的過(guò)氧化氫水溶液。

雙氧水純化工藝

目前行業(yè)內(nèi)較為領(lǐng)先的蒸發(fā)-精餾法技術(shù)由日本三菱瓦斯化學(xué)公司開(kāi)發(fā)，將工業(yè)H2O2 在蒸發(fā)器中蒸發(fā)，氣液混合物經(jīng)氣液分離器分離，蒸汽進(jìn)入分凝器，部分蒸汽被冷凝下來(lái)成為凈化產(chǎn)品。離子交換是利用只用陽(yáng)離子交換膜單項(xiàng)濾除金屬離子，其中日本公司提出在工業(yè)過(guò)氧化氫水溶液中加入絮凝劑，然后利用細(xì)濾器過(guò)濾除去不溶性二氧化硅；美國(guó)公司提出將工業(yè) H2O2 溶液流過(guò) 2 根混合離子交換柱和 1 根有機(jī)物吸附柱從而實(shí)現(xiàn)純化。中國(guó)相關(guān)公司通過(guò)負(fù)載螯合劑 SBA-15 分子篩過(guò)濾，通過(guò)超濾膜過(guò)濾從而實(shí)現(xiàn)純化。同時(shí)也可以將膜過(guò)濾與活性炭吸附和多級(jí)精餾配合使用從而實(shí)現(xiàn)純化。

溶劑萃取法是通過(guò)工業(yè) H2O2 在兩種互補(bǔ)相溶的溶劑中的溶解度和分配系數(shù)不同，經(jīng)過(guò)反復(fù)多次萃取，從而得到純度較高的 H2O2,例如可以在重芳烴和磷酸三辛酯在 30℃~50℃條件下緩和完成萃??；也可利用利用極性溶劑和非極性溶劑混合處理。

綜上所述，電子級(jí)超凈高純 H2O2 的純化處理過(guò)程涉及精密儀器的研發(fā)和相關(guān)工藝的探索，國(guó)內(nèi)公司目前正在加速追趕，打破海外壟斷。

3. 高純氨氣是制備電子級(jí)氨水的關(guān)鍵步驟。

電子級(jí)氨水是利用高純氨氣通入高純水中吸收，經(jīng)微孔濾膜處理從而獲得。傳統(tǒng)高純氨氣的合成方法有三種，原料是通過(guò)工業(yè)合成氨獲得。工業(yè)合成氨通過(guò)原料（N2和 H2）、造氣、凈氣、合成氨、分離氨，最終得到工業(yè)級(jí)氨氣，其中 N2 和 H2 的催化反應(yīng)以 Fe 作為催化劑，最終通過(guò)不斷抽離氨氣使得反應(yīng)向正向移動(dòng)。當(dāng)前國(guó)內(nèi)外大型氨廠的合成塔都采用多段（通常是 4 段）絕熱反應(yīng)器，段間用冷原料氣冷激，實(shí)現(xiàn) N2與 H2 充分反應(yīng)，最終的氨分離使用降低溫度使氨氣液化的方法，其他氣體如 N2和 H2 并不液化從而留回到反應(yīng)釜中。

合成氨流程工藝

傳統(tǒng)高純氨的制備工藝主要有三種，第一種方法：工業(yè)氨經(jīng)三級(jí)吸附除去油、水及部分碳?xì)浠衔?，通過(guò)壓膜機(jī)壓縮后送入部分精餾塔，二級(jí)精餾塔除去低沸點(diǎn)雜質(zhì)，吸附器進(jìn)一步除水得到高純氨；第二種方法：工業(yè)氨用吸附法除去水，采用間歇精餾法除去低沸點(diǎn)雜質(zhì)，得到 5N9 高純氨；第三種方法：工業(yè)氨經(jīng)過(guò)精餾、多重吸附、超濾、終端純化得到 6N9 高純氨。

4. 電子級(jí)鹽酸的制備來(lái)自于工業(yè)氯化氫的提純，方法可包括精餾、亞沸蒸餾等方法。

工業(yè)上制備鹽酸的方法通常是利用 Cl2 在 H2 中燃燒產(chǎn)生 HCl， HCl 溶于高純水從而生產(chǎn)超凈高純鹽酸，常因 HCl 含有 Fe3+而呈現(xiàn)黃色。近年來(lái)，工業(yè)中還發(fā)展了由生產(chǎn)含氯有機(jī)物的副產(chǎn)品氯化氫制鹽酸， Cl2 與乙烯反應(yīng)，生成二氯乙烷(CH3CHCl2)，再經(jīng)過(guò)分解反應(yīng)制備出氯乙烷(CH3CH2Cl)和 HCl。

電子級(jí)鹽酸的制備來(lái)自于工業(yè) HCl 的提純，方法可包括精餾、亞沸蒸餾等方法。其中亞沸蒸餾工藝中包括：蒸餾、過(guò)濾與洗滌、吸收和亞沸蒸餾等步驟。其中蒸餾過(guò)程是利用沸點(diǎn)差異實(shí)現(xiàn) HCl 與 H2O 的分離，從而除去 H2O 中的金屬雜質(zhì)離子，蒸餾后的 HCl 通過(guò)過(guò)濾除去其中夾雜的固體雜質(zhì)，經(jīng)過(guò)洗滌的 HCl 被超純水吸收從而形成超凈高純鹽酸。亞沸蒸餾法是將工業(yè)鹽酸加熱到溫度比費(fèi)電低 5~20℃左右，由于未達(dá)到沸點(diǎn)，和液相平衡的氣相也就不再大量由大量蒸汽物粒所組成，而是以分子狀態(tài)與液相平衡，因此蒸汽中極少夾雜或不夾雜帶金屬離子和固體微粒，從而實(shí)現(xiàn)冷凝回流后的液體中金屬離子含量低，實(shí)現(xiàn)超凈高純化。最終經(jīng)過(guò)純化獲得的超凈高純鹽酸經(jīng)過(guò)相關(guān)泵輸送到 10 級(jí)凈化箱內(nèi)，分裝于已經(jīng)利用超凈高純液體清洗干凈的石英瓶或聚四氟乙烯瓶中。

濕電子化學(xué)品的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

純度和潔凈度對(duì)集成電路成品率、電性能及可靠性有十分重要的影響。為了能夠規(guī)范世界超凈高純?cè)噭┑臉?biāo)準(zhǔn)，SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備和材料協(xié)會(huì))專門(mén)制定、規(guī)范超凈高純?cè)噭┑膰?guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)-SEMI 標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于集成電路不同技術(shù)水平，所需要濕電子化學(xué)品的標(biāo)準(zhǔn)越高，純度和潔凈度的要求也就越高。

目前，國(guó)際上制備 SEMI-C1 到 SEMI-C12 級(jí)濕電子化學(xué)品的技術(shù)都已經(jīng)趨于成熟。隨著集成電路制作要求的提高，對(duì)工藝中所需的濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。從技術(shù)趨勢(shì)看，滿足納米級(jí)集成電路需求是超凈高純?cè)噭┙窈蟮陌l(fā)展方向之一。

目前，國(guó)內(nèi)少數(shù)幾家企業(yè)的產(chǎn)品技術(shù)等級(jí)能夠達(dá)到 G2 級(jí)，部分公司實(shí)現(xiàn)G3 級(jí)產(chǎn)品的送樣。對(duì)于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域， 12 寸制程中濕電子化學(xué)品技術(shù)等級(jí)需求一般在 G3 級(jí)以上。

美國(guó) SEMI 工藝化學(xué)品的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)

國(guó)內(nèi)超凈高純?cè)噭┑姆诸惙绞脚c SEMI 規(guī)定方式略有不同，其中 BV-III 級(jí)、BV-IV級(jí)和 BV-V 級(jí)分別對(duì)應(yīng) SEMI 標(biāo)準(zhǔn)中 C7（G2）、 C8（G3）和 C12(G4)標(biāo)準(zhǔn)程度。同時(shí)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)包括實(shí)驗(yàn)純（LR）、化學(xué)純(CP)、分析純（AR）、優(yōu)級(jí)純（GR）等，但是由于產(chǎn)品品類不同，無(wú)法實(shí)現(xiàn)一一對(duì)應(yīng)。

國(guó)內(nèi)濕電子化學(xué)品等級(jí)分布

超凈高純?cè)噭┑募兌群蜐崈舳葘?duì)于生產(chǎn)集成電路的電性能、成品率和可靠性均有嚴(yán)重影響。由于超凈高純?cè)噭┓诸愝^多，同時(shí)國(guó)內(nèi)試劑各產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)度及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程均不相同，因此需要分具體情況客觀評(píng)價(jià)超凈高純?cè)噭┑膰?guó)內(nèi)外差別。總體看 C12(G4)及其以上級(jí)別的產(chǎn)品多數(shù)被德國(guó)巴斯夫、美國(guó)霍尼韋爾、日本關(guān)東化學(xué)和三菱集團(tuán)、韓國(guó)東進(jìn) SEMICHEM 等海外公司壟斷。目前國(guó)內(nèi)基于進(jìn)口替代目標(biāo)，在 300mm 硅晶圓的制造中主要關(guān)注于 C8(G3)級(jí)電子化學(xué)品的批量生產(chǎn)及進(jìn)口替代，實(shí)現(xiàn)此范圍技術(shù)突破的公司在市場(chǎng)上具有競(jìng)爭(zhēng)力。

濕電子化學(xué)品的行業(yè)品牌

目前國(guó)際上的大型濕電子化學(xué)品廠商主要有德國(guó)的E.Merck 公司、美國(guó)的Ashland 公司、Sigma-Aldrich 公司、Mallinckradt Baker 公司、日本的Wako 、Summitomo 等，這幾家產(chǎn)能占全球的80%。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上，濕電子化學(xué)品也主要被歐美、日韓企業(yè)、臺(tái)灣的企業(yè)所占據(jù)。

全球濕電子化學(xué)品行業(yè)主要品牌

我國(guó)濕電子化學(xué)品行業(yè)主要品牌簡(jiǎn)介

濕電子化學(xué)品行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

全球濕電子化學(xué)品市場(chǎng)呈現(xiàn)三分天下局面：

第一大市場(chǎng)份額，由歐美傳統(tǒng)老牌企業(yè)的濕電子化學(xué)品產(chǎn)品（包括它們?cè)趤喼揲_(kāi)設(shè)工廠所創(chuàng)的銷售額）所占領(lǐng)，其市場(chǎng)份額（以銷售額計(jì)）約為34%。其主要企業(yè)有德國(guó)巴斯夫（Basf）公司、美國(guó)亞什蘭集團(tuán)、亞什蘭化學(xué)公司、美國(guó)Arch 化學(xué)品公司、美國(guó)霍尼韋爾公司、AIR PRODUCTS、德國(guó)E.Merck 公司、美國(guó)Avantor Performance Materials 公司、ATMI 公司等。

第二大市場(chǎng)份額，由日本的十家左右生產(chǎn)企業(yè)所擁有，約占30%的市場(chǎng)份額。其大型企業(yè)包括關(guān)東化學(xué)公司、三菱化學(xué)、京都化工、日本合成橡膠、住友化學(xué)、和光純藥工業(yè)（Wako）、stella-chemifa 公司等。

第三大市場(chǎng)份額，主要由中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)、中國(guó)大陸企業(yè)（即內(nèi)資企業(yè)）生產(chǎn)的濕法電子化學(xué)品所占據(jù)，三者約占全球市場(chǎng)份額的35%。

受益于本國(guó)（地區(qū)）下游應(yīng)用市場(chǎng)的擴(kuò)大，在平板顯示、半導(dǎo)體、太陽(yáng)能等濕電子化學(xué)品市場(chǎng)方面，中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)、中國(guó)大陸等國(guó)家、地區(qū)的濕電子化學(xué)品市場(chǎng)擴(kuò)充快速，替代歐美、日本同類產(chǎn)品的變化速度，表現(xiàn)十分顯著，這種三分天下的格局正逐步被打破。中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)、中國(guó)大陸的濕電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)，近兩三年其生產(chǎn)能力、技術(shù)水平及市場(chǎng)規(guī)模都得到快速發(fā)展。預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年，中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)、中國(guó)大陸等企業(yè)所生產(chǎn)的濕電子化學(xué)品，在市場(chǎng)占有率方面將有更大的增加。

2017年全球濕電子化學(xué)品市場(chǎng)格局（單位：%）

濕電子化學(xué)品行業(yè)現(xiàn)有企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析

濕電子化學(xué)品的市場(chǎng)概況

1.市場(chǎng)規(guī)模

2016 年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)所需的濕電子化學(xué)品量為19.33萬(wàn)噸，對(duì)應(yīng)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 22億人民幣，預(yù)計(jì)2020年，國(guó)內(nèi)集成電路所需的濕電子化學(xué)品量為 45.37 萬(wàn)噸，對(duì)應(yīng)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 52 億人民幣。2017年我國(guó)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模約76.49億元，同比2016年的63.83億元增長(zhǎng)了19.83%，近幾年我國(guó)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模情況如下圖所示：

2009-2017年中國(guó)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模情況

2.市場(chǎng)需求

      2017年，我國(guó)用于半導(dǎo)體、面板和太陽(yáng)能的濕電子化學(xué)品市場(chǎng)需求為 61.8 萬(wàn)噸，其中面板的市場(chǎng)需求最大，達(dá)到32萬(wàn)噸，占全部的51.8%。預(yù)計(jì)，2018年濕電子化學(xué)品需求量為69.9萬(wàn)噸，同比增長(zhǎng)13.1%，液晶面板是需求增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域。

2014-2018年中國(guó)細(xì)分領(lǐng)域濕電子化學(xué)品需求（單位：萬(wàn)噸）

2018及2024年我國(guó)濕電子化學(xué)品需求結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)